شرکت کره‌ای SK hynix از حافظه فلش جدید خود با نام UFS 4.1 پرده برداشت؛ محصولی که برای نخستین بار در جهان از NAND سه‌سطحی (TLC) چهار‌بعدی با ۳۲۱ لایه بهره می‌برد.
به گزارش تک ناک؛ این حافظه با تمرکز بر کاربردهای هوش مصنوعی در موبایل، سرعت بالاتر، ضخامت کمتر و مصرف انرژی بهینه‌تری را نسبت به نسل پیشین ارائه می‌دهد.
این محصول نوآورانه، نخستین حافظه در جهان است که از تراشه ۳۲۱ لایه‌ای NAND TLC چهار‌بعدی بهره می‌برد و برای پشتیبانی از قابلیت‌های هوش مصنوعی در دستگاه‌های همراه طراحی شده است.
به گفته SK hynix، نیاز فزاینده بازار به حافظه‌هایی با سرعت بالا، توان مصرفی پایین و امکان استفاده در گوشی‌های باریک، منجر به توسعه این راهکار شده است. ضخامت حافظه جدید به ۰.۸۵ میلی‌متر کاهش یافته که نسبت به نسل قبلی با ضخامت ۱ میلی‌متر، پیشرفت قابل توجهی به‌شمار می‌آید.
در بخش عملکرد، حافظه UFS 4.1 قادر است سرعت خواندن ترتیبی تا ۴۳۰۰ مگابایت بر ثانیه ارائه دهد؛ رقمی که بالاترین میزان در میان حافظه‌های نسل چهارم UFS محسوب می‌شود. همچنین سرعت‌های خواندن و نوشتن تصادفی نیز به ترتیب ۱۵ و ۴۰ درصد افزایش یافته‌اند، که موجب بهبود تجربه کاربری و اجرای سریع‌تر اپلیکیشن‌ها می‌شود.
این حافظه قرار است در دو ظرفیت ۵۱۲ گیگابایت و ۱ ترابایت عرضه شود. شرکت SK hynix قصد دارد تاییدیه‌های لازم از مشتریان را تا پایان سال جاری میلادی اخذ کرده و تولید انبوه آن را از سه‌ماهه نخست سال آینده آغاز کند.
در همین رابطه، آهن هیون، رئیس و مدیر ارشد توسعه SK hynix، اظهار داشت: «ما در حال تکمیل توسعه SSD مبتنی بر NAND ۳۲۱ لایه‌ای برای بازار مصرف‌کنندگان و دیتاسنترها هستیم و با گسترش سبد محصولات مبتنی بر هوش مصنوعی، جایگاه خود را به‌عنوان یک ارائه‌دهنده کامل حافظه‌های AI در حوزه NAND تثبیت خواهیم کرد.»
